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如图所示，asemi肖特基二极管解剖图放大后的芯片附近，在基片下边形成n+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，n型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极，n型基片接电源负极)时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小;反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用pn结型结构，有的采用改进的pin结构。其正向压降高于普通二极管（1-2v），反向耐压多在1200v以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下.因此相比较之下，asemi肖特基二极管与快恢复二极管各有各的优势，两者互相弥补，成就了asemi整流12年的佳话！

什么是肖特基二极管？有何特点意义？

sbd具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60v，仅约100v，以致于---了其应用范围。像在开关电源（smps）和功率因数校正（pfc）电路---率开关器件的续流二极管、变压器次级用100v以上的高频整流二极管、rcd缓冲器电路中用600v～1.2kv的高速二极管以及pfc升压用600v二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（fred）和超快速恢复二极管（ufrd）。目前ufrd的反向恢复时间trr也在20ns以上，---不能满足像空间站等领域用1mhz～3mhz的smps需要。即使是硬开关为100khz的smps，由于ufrd的导通损耗和开关损耗均较大，壳温---，需用较大的散热器，从而使smps体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100v以上的高压sbd，一直是人们研究的课题和关注的---。近几年，sbd已取得了突破性的进展，150v和200v的高压sbd已经上市，使用新型材料制作的超过1kv的sbd也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。

关于    asemi肖特基二极管 的封装

　　通过型号识别封装外形：

　　mbr10100:to-220ac,单芯片，两引脚，

　　mbr10100ct:to-220ab,双芯片，三引脚，型号后缀带ct

　　mbrb10100ct:to-263（d2pak）、贴片。

　　型号前面四个字母b,代表to-263,国际通用命名。双芯片，三引脚，型号后缀带ct

　　mbrd1045ct:to-252（dpak）、贴片。

　　mbrd与mbrb都是贴片，d:to-252,b:to-263.

　　mbr3045pt:to-3p,型号后缀pt代表to-3p封装，

　　原motorola现叫做sot-93

　　sd1045:d表示to-251