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如图所示，asemi肖特基二极管解剖图放大后的芯片附近，在基片下边形成n+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，n型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极，n型基片接电源负极)时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小;反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

asemi肖特基二极管新品介绍——

sbd的主要优点包括两个方面:

1)由于肖特基势垒高度低于pn结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比pn结二极管低(约低0.2v)。

2)由于sbd是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。sbd的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于pn结二极管的反向恢复时间。由于sbd的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也---小，尤其适合于高频应用。

mur2060ctr产品参数与整流原理图

“阳”指的是正极、正向电流或者指输入，“共阳”意味着共用一条引线作为输入端。mur2060ctr是共阳管，就表明这个型号的快恢复二极管的输入正向电流是共用一条引线的。由下图可知，mur2060ctr采用的是to-220封装，有3条引脚，即引线；共用的一条引线为中间的引脚，因此电流方向是两段输出，中间输入的。