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肖特基二极管的弱点和避免事项

肖特基二极体的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压只到 50v，而反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大，实务设计上需注意其热失控的隐忧。为了避免上述的问题，肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。不过肖特基二极体的技术也已有了进步，其反向偏压的额定值可以到200v。

根据万用表示数分析，肖特基二极管测试结论如下（其中为肖特基二极管自左而右的三只引脚编码）:

一，根据-、-间均可测出正向电阻，判定被测管为共阴对管，、脚为两个阳极，脚为公共阴极。

二，因-、-之间的正向电阻只几欧姆，而反向电阻为无穷大，故具有单向导电性。

三，内部两只肖特基二极管的正向导通压降分别为0.315v、0.33v，均低于手册中给定的允许值vfm(0.55v)。

sbd的正向压降和反向漏电流直接影响sbd整流器的功率损耗，关系到系统效率。低正向压降要求有低的肖特基势垒高度，而较高的反向击穿电压要求有尽可能高的势垒高度，这是相矛盾的。因此，对势垒金属必须折衷考虑，故对其选择显得十分重要。对n型sic来说，ni和ti是比较理想的肖特基势垒金属。由于ni/sic的势垒高度高于ti/sic，故前者有---的反向漏电流，而后者的正向压降较小。

asemi肖特基二极管与快恢复二极管有什么区别?

这是两种工艺的芯片技术，势垒工艺肖特基二极管频率比平面硅片的快恢复二极管更高，trr参数只几ns,基本忽略，正向导通电压低，只零点几伏（低自身功耗），但点压不高，一般只能做到200v，现在asemi有做300v的mbr30200pt。更高的参数需求可以详询asemi在线。