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肖特基二极管的弱点和避免事项

肖特基二极体的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压只到 50v，而反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大，实务设计上需注意其热失控的隐忧。为了避免上述的问题，肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。不过肖特基二极体的技术也已有了进步，其反向偏压的额定值可以到200v。

采用这种结构的sbd，击穿电压由pn结承受。通过调控n-区电阻率、外延层厚度和p+区的扩散---，使反偏时的击穿电压突破了100v这个长期不可逾越的障碍，达到150v和200v。在正向偏置时，高压sbd的pn结的导通门限电压为0.6v，而肖特基势垒的结电压仅约0.3v，故正向电流几乎全部由肖特基势垒供给。

关于肖特基二极管的应用，asemi总结出以下几点：

肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(schottky barrier diode)，具有正向压降低（0.4—1.0v）、反向恢复时间很短（0-10纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150v，多用于低电压场合。