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了解了肖特基二极管的基本原理，那你知道肖特基势垒二极管的内部结构是怎样的吗？接下来就由asemi------为您解析这一问题。

典型的肖特基整流管的内部电路结构是以n型半导体为基片，在上面形成用shen作掺杂剂的n-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(sio2)来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。n型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较h-层要高100%倍。

肖特基二极管的弱点和避免事项

肖特基二极体的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压只到 50v，而反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大，实务设计上需注意其热失控的隐忧。为了避免上述的问题，肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。不过肖特基二极体的技术也已有了进步，其反向偏压的额定值可以到200v。

肖特基二极管分为有引线和表面安装(贴片式)两种封装形式。肖特基二极管在结构原理上与pn结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(sio2)电场消除材料、n-外延层(材料)、n型硅基片、n+阴极层及阴极金属等构成。

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