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asemi肖特基二极管新品介绍——

sbd的主要优点包括两个方面:

1)由于肖特基势垒高度低于pn结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比pn结二极管低(约低0.2v)。

2)由于sbd是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。sbd的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于pn结二极管的反向恢复时间。由于sbd的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也---小，尤其适合于高频应用。

接下来我们将一起看一下asemi肖特基二极管和超快恢复二极管、快恢复二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。

在频率上，肖特基二极管大于超快恢复二极管大于快恢复二极管大于硅高频整流二极管大于硅高速开关二极管；

在电流范围上，肖特基二极管大于超快恢复二极管大于快恢复二极管大于硅高频整流二极管大于硅高速开关二极管；

在耐压---范围上，肖特基二极管小于超快恢复二极管小于快恢复二极管小于硅高频整流二极管小于硅高速开关二极管；

由表可见，硅高速开关二极管的trr虽极低，但平均整流电流很小，不能作大电流整流用。

asemi高压sbd

长期以来，在输出12v~24v的smps中，次级边的高频整流器只有选用100v的sbd或200v的fred。在输出24v~48v的smps中，只有选用200v~400v的fred。设计者迫切需要介于100v~200v之间的150vsbd和用于48v输出smps用的200vsbd。近两年来，美国ir公司和apt公司以及st公司---高压sbd的---商机，先后开发出150v和200v的sbd。这种高压sbd比原低压sbd在结构上增加了pn结工艺，形成肖特基势垒与pn结相结合的混合结构