?台湾asemi肖特基二极管mbr30100dc

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台湾asemi肖特基二极管mbr30100dc全部采用俄罗斯mikron扩散高抗击芯片，内置122mil大规格整流芯片；---平均输出30a的电流；反向耐压值达到100v；反向恢复时间5ns。封装为to-263封装，mbr30100dc的铜材质镀锡引脚与品质的sio2塑封硅胶，台资工厂封装测试。

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asemi肖特基二极管mbr40200pt，电性参数为40a200v,to-247/3p封装，芯片采用俄罗斯进口mikron芯片，镭射激光打标，不易退色；黑胶材质为进口环氧塑脂材料，包封稳定性强，其引脚为无氧铜，抗弯曲、减少氧化、高导电性。

asemi肖特基二极管，每一道工序都在严格的监控下生产制造。所生产出来的肖特基二极管产品，已过严格检验测试方可出厂，---没有---品。因为asemi相信，客户是懂产品的。客户相信asemi的品牌与品质，才会下单。

?asemi肖特基二极管mbr30100dc

asemi肖特基二极管mbr30100dc，电性参数为30a 100v,asemi肖特基二极管卖的是，卖的是信誉；只卖好货色，---欺---客户以次充好。强元芯电子的台产“asemi”品牌更是强中之手，其采用俄罗斯进口晶圆-mikron芯片，具有高抗冲击能力，电性能稳定，可---度高，产品都是已通过sgs、均符合欧盟rohs产品，ul。

asemi肖特基mbr60200pt

asemi肖特基mbr60200pt的外观，本节我们以它为列，通过讲解其各项参数，会让你对整个肖特基产品系列有一个更深入的了解，为了更直观方便的说明，我们以mbr60200pt的规格书为模板进行解说：

下图截取的就是肖特基mbr60200pt参数页面文档，我们会自上而下逐条讲解每个参数所代表的意义及作用

maximal inverted repetitive peak voltage ——反向重复峰值电压

average rectified forward current ——平均整流正向电流

typical thermal resistance (per leg)——典型热阻（每条腿)

forward peak surge current ——正向峰值浪涌电流

peak repetitive reverse surge current ——峰值反向重复浪涌电流

maximum rate of voltage change (at rated vr)——电压变化率（额定vr）

operating junction temperature—— 工作温度

storage temperature ——储存温度