asemi-fmb30m超薄快恢复桥堆-超薄快恢复桥堆

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软桥相比于普通桥堆来讲，主要优势是它可以---低---导特性 ，降低ac输入线杂散线路电感激励。

ulbfr510快恢复整流桥 5a1000v asemi品牌产品

产品型号：ulbfr510

正向电流（io）: 5a

反向耐压（vrrm）：1000v

类型：贴片小桥

产品芯片：快恢复芯片

温度：-55℃~+150℃

引脚：4只

asemi半导体---工厂拥有一支具有高水平研究开发和生产制造实践的人才团队。

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快充整流桥体积小。氮化材料本身优异的性能，使得做出来的氮化比传统硅基igbt/mosfet 等芯片面积更小，同时由于更耐高压，大电流，超薄快恢复桥堆，氮化芯片功率密度，msb310超薄快恢复桥堆，因此功率密度/面积---硅基。此外由于使用氮化芯片还减少了周边的其他元件的使用，电容、电感、线圈等被动件比硅基方案少得多，也进一步缩小了体积。