10n60mos晶体管-asemi-mos晶体管

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mos管（mosfet/场效应管）的主要参数：

7. 极间电容

·三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容cgs 、栅漏电容cgd和漏源电容cds

·cgs和cgd约为1~3pf，cds约在0.1~1pf之间

8. 低频噪声系数nf

·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的。·由于它的存在，9n90mos晶体管，就使一个放大器即便在没有信号输人时，sym601mos晶体管，在输出端也出现不规则的电压或电流变化

·噪声性能的大小通常用噪声系数nf来表示，它的单位为分贝(db)。这个数值越小，mos晶体管，代表管子所产生的噪声越小

·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小

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asemi品牌 to-220 mos场效应晶体管 100n10

型号：100n10

封装：to-220ab

漏极电流（vds）：100a

漏源电压（id）：100v

工作温度：-55℃~150℃

封装类型：插件

种类：场效应晶体管/mosfet

品牌：asemi

场效应管通过投影p沟道mos管符号一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以fet管的gate电流非常小。