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肖特基二极管分为有引线和表面安装(贴片式)两种封装形式。肖特基二极管在结构原理上与pn结二极管有很大区别,肖特基二极管符号,它的内部是由阳极金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(sio2)电场消除材料、n-外延层(材料)、n型硅基片、n+阴极层及阴极金属等构成。
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由于sbd的反向势垒较薄,并且在其表面极易发生击穿,所以反向击穿电压比较低。由于sbd比pn结二极管更容易受热击穿,反向漏电流比pn结二极管。
sbd的结构及特点使其适合于在低压、da电流输出场合用作高频整流,在非常高的频率下(如x波段、c波段、s波段和ku波段)用于检波和混频,肖特基二极管的作用,在高速逻辑电路中用作箝位。在ic中也常使用sbd,潜江肖特基二极管,像sbd?ttl集成电路早已成为ttl电路的主流,在高速计算机中被广泛采用。
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了解了肖特基二极管的基本原理,那你知道肖特基势垒二极管的内部结构是怎样的吗?接下来就由asemi------为您解析这一问题。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以n型半导体为基片,在上面形成用shen作掺杂剂的n-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(sio2)来消除边缘区域的电场,提高管子的耐压值。n型基片具有很小的通态电阻,其掺杂浓度较h-层要高100%倍。
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