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商机信息
信息标题 6N60插件MOS管-插件MOS管-ASEMI
发布时间 2021-11-4
编辑：lmos管（mosfet/场效应管）的主要参数：7. 极间电容·三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容cgs 、栅漏电容cgd和漏源电容cds·cgs和cgd约为1~3pf，cds约在0.1~1
信息标题 插件MOS管-ASEMI-90N10插件MOS管
发布时间 2021-11-4
编辑：lmos管基本应用在哪些产品？现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了pfc技术外，在元器件上的开关管均采用***异的mos管取代过去的大功率晶体三极管，10n60插件mos管，使
信息标题 ASEMI-10N60插件MOS管-插件MOS管
发布时间 2021-11-3
编辑：lmos管（mosfet）的发热情况：1.电路设计的问题，就是让mos管工作在线性的工作状态，插件mos管，而不是在开关状态。这也是导致mos管发热的一个原因。如果n-mos做开关，g级电压要比
信息标题 ASEMI-6N65插件MOS管-插件MOS管
发布时间 2021-11-3
编辑：lasemi低压mos管 a09t/ 3400 30v的n道mos管 型号：a09t / 3400封装：sot-23漏极电流（vds）：5.8a漏源电压（id）：30v工作温度：-55
信息标题 10N60插件MOS管-ASEMI-插件MOS管
发布时间 2021-11-3
编辑：lasemi品牌 mos管 sym601 600v mosfet型号：sym601封装：sot-89漏极电流（vds）：1a漏源电压（id）：600v工作温度：-55℃~150℃封装形
信息标题 ASEMI-24N50该怎么选型-该怎么选型
发布时间 2021-11-1
编辑：lasemi品牌 24n50 mos场效应管 插件封装类型mosfet型号：24n50封装：to-247/3p漏极电流（vds）：24a漏源电压（id）：500v工作温度：-55℃~150℃种类
信息标题 90N10品质mos管-ASEMI-品质mos管
发布时间 2021-11-1
编辑：lasemi品牌 mos管 sym601 600v mosfet型号：sym601封装：sot-89漏极电流（vds）：1a漏源电压（id）：600v工作温度：-55℃~150℃封装形
信息标题 25N120该怎么选型-该怎么选型-ASEMI
发布时间 2021-11-1
编辑：lasemi品牌 to-220 mos场效应晶体管 100n10型号：100n10封装：to-220ab漏极电流（vds）：100a漏源电压（id）：100v工作温度：-55℃~150℃封装类型
信息标题 24N50品质MOS管-ASEMI-品质MOS管
发布时间 2021-10-31
编辑：lasemi低压mos管 a09t/ 3400 30v的n道mos管 型号：a09t / 3400封装：sot-23漏极电流（vds）：5.8a漏源电压（id）：30v工作温度：-55
信息标题 90N10品质MOS管-品质MOS管-ASEMI
发布时间 2021-10-31
编辑：lasemi品牌 to-220 mos场效应晶体管 100n10型号：100n10封装：to-220ab漏极电流（vds）：100a漏源电压（id）：100v工作温度：-55℃~150℃封装类型
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