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asemi品牌 25n120 mos场效应晶体管 插件封装 mosfet
型号：25n120
封装：to-247/3p
漏极电流（vds）：25a
漏源电压（id）：1200v
工作温度：-55℃~150℃
种类：场效应晶体管/mosfet
品牌：asemi
市面上常有的一般为n沟道和p沟道，详情参考右侧图片(p沟道耗尽型mos管)。而p沟道常见的为低压mos管。编辑：th
如何区分mos管的源极和漏极？
mos管结构示意图中，我们可以看出左右是对称的，难免会有人问怎么区分源极和漏极呢？其实原理上，a09t n沟道mos管，源极和漏极确实是对称的，n沟道mos管，是不区分的。但在实际应用中，厂家一般在源极和漏极之间连接一个二极管，起保护作用，25n120n沟道mos管，正是这个二极管决定了源极和漏极，10n60n沟道mos管，这样，封装也就固定了，便于实用。
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mosfet（场效应管）的主要参数：
1.开启电压vt
·开启电压(又称阈值电压):使得源极s和漏极d之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;
·标准的n沟道mos管，vt约为3~6v;·通过工艺上的改进，可以使mos管的vt值降到2~3v。
2. 直流输入电阻rgs
·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
·mos管的rgs可以很容易地超过1010ω。
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