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mos管---原因是什么？
mos管---，主要原因之一是寄生电容在频繁开启关闭时，显现交流特性而具有阻抗，形成电流。有电流就有---，并非电场型的就没有电流。另一个原因是当栅极电压爬升缓慢时，导通状态要“路过”一个由关闭到导通的临界点，这时，导通电阻很大，---比较厉害。第三个原因是导通后，沟道有电阻，n沟道mos管，过主电流，形成---。主要考虑的---是和第3点。许多mos管具有结温过高保护，所谓结温就是金属氧化膜下面的沟道区域温度，一般是150摄氏度。超过此温度，9n90n沟道mos管，mos管不可能导通。温度下降就恢复。要注意这种保护状态的后果。
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mosfet（场效应管）的主要参数：
4. 栅源击穿电压bvgs
·在增加栅源电压过程中，24n50n沟道mos管，使栅极电流ig由零开始剧增时的vgs，称为栅源击穿电压bvgs。
5. 低频跨导gm
·在vds为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征mos管放大能力的一个重要参数
·一般在十分之几至几ma/v的范围内
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asemi低压mos管 a29t/ 3402 n道mos管 30v
型号：a29t / 3402
封装：sot-23
漏极电流（vds）：4a
漏源电压（id）：30v
工作温度：-55℃~150℃
封装形式：贴片
种类：场效应晶体管（mosfet/mos管）
品牌：asemi
晶体管有n型channel所有它称为n-channel mos管，或nmos。p-channel mos(pmos)管也存在，是一个由轻掺杂的n型backgate和p型source和drain组成的pmos管。
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